这本书是非常先进的电子器件的简洁的指南，由EDS的67位专家成员撰写。在全书21章中，专家们分享了它们在电子器件各个领域的专业知识。这些章节描述了各种各样的电子器件，这种多样性也正是EDS面临的现实。来自产业界、学术界、政府部门的专家对本书也有诸多贡献。作者来自五大洲，这是一个真正世界级的团队，包括了顶级的管理者、年轻的工程师、著名的大学教授和年轻的学者。编辑因此试图保持明显不同的风格，以反应区域、背景和隶属关系的差异。 大部分作者是EDS的14TAC（技术专业委员会，Technical Area Committee）的成员，这个专委会利用其专业知识帮助执行委员会和管理层做出战略决策。EDS现在的TAC见表1。 1963年成立的IEEE（国际电子电气工程师协会）脱胎于1884年成立的AIEE（美国电子工程师协会）和1912年成立的IRE无线电工程师协会。在晶体管发明后不久的1952年，IRE建立了电子管和固态器件委员会，在电子器件界颇有影响。1952年，改委员会更名为IRE电子器件专家组。随着AIEE和IRE的合并，在1964年成立了IEEE电子器件组，1976年该组织更名为EDS（IEEE电子器件学会）。
目錄：
序
导言
对本书有贡献者
致谢
介绍：发展历史
第一部分：基本电子设备
1 双极晶体管
John D. Cressler and Katsuyoshi Washio
1.1 动机
1.2 pn结及其电子应用
1.3 双极结晶体管及其电子应用
1.4 双极晶体管的优化
1.5硅锗异质结双极晶体管
参考文献
2 MOSFETs
Hiroshi Iwai, Simon Min Sze, Yuan Taur and Hei Wong
2.1 MOSFET介绍
2.2 MOSFET基础
2.3 MOSFET演化
2.4 结束语
参考文献
3 内存设备
Kinam Kim and Dong Jin Jung
3.1 介绍
3.2 挥发性存储器
3.3 非挥发性存储器
3.4 MOS存储展望
3.5 结束语
参考文献
4 被动元件
Joachim N. Burghartz and Colin C. McAndrew
4.1 离散和集成的被动元件
4.2 模拟IC和DRAM应用
4.3 案例研究----平面螺旋电感
4.4 集成电路中的寄生应用
参考文献
5 新兴设备
Supriyo Bandyopadhyay, Marc Cahay and Avik W. Ghosh
5.1 不可充电开关
5.2 硅的替代物碳和石墨烯电子学和分子电子学的兴起
5.3 结束语
参考文献
第二部分 电子设备和IC制造
6 电子材料
James C. Sturm, Ken Rim, James S. Harris and Chung-Chih Wu
6.1 介绍
6.2 硅设备技术
6.3 化合物半导体设备
6.3.1 金属半导体场效应晶体管（MESFETs）
6.3.2 高电子移动性晶体管（HEMTs）
6.3.3 异质结双极晶体管（HBT）
6.3.4 光电器件
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