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Wong）教授，美国工程院院士，中国工程院外籍院士，被誉为现代半导体封装之父。现任中科院深圳先进技术研究院电子封装材料方向首席科学家，香港中文大学工学院院长，美国佐治亚理工学院封装中心副主任，校董事教授，是佐治亚理工学院的两个chair?professor之一。国际电子电气工程师协会会士（IEEE?Fellow），美国贝尔实验室高级会士Fellow。他拥有50多项美国专利，发表了1000多篇文章，独自或和他人一起出版了10多本专著。他曾多次获国际电子电气工程师协会，制造工程学会，贝尔实验室，美国佐治亚理工学院等颁发的特殊贡献奖。汪正平院士长期从事电子封装研究，因几十年来在该领域的开创性贡献，被IEEE授予电子封装领域高级荣誉奖IEEE元件，封装和制造技术奖，获得业界普遍认可。 汪正平院士是塑封技术的开拓者之一。他创新地采用硅树脂对栅控二极管交换机（GDX）进行封装研究，实现利用聚合物材料对GDX结构的密封等效封装，显著提高封装可靠性，此塑封技术克服了传统陶瓷封装重量大，工艺复杂，成本高等问题，被Intel，IBM等全面推广，目前塑封技术占世界集成电路封装市场的95%以上。他还解决了长期困扰封装界的导电胶与器件界面接触电阻不稳定问题，该创新技术在Henkel（汉高）等公司的导电胶产品中使用至今。汪院士在业界首次研发了无溶剂，高Tg的非流动性底部填充胶，简化倒装芯片封装工艺，提高器件的优良率和可靠性，被Hitachi（日立）等公司长期使用。 目錄： 第1章市场趋势：过去，现在和将来1 1.1倒装芯片技术及其早期发展2 1.2晶圆凸点技术概述2 1.3蒸镀3 1.3.1模板印刷3 1.3.2电镀4 1.3.3焊坝4 1.3.4预定义结构外电镀6 1.4晶圆凸点技术总结6 1.5倒装芯片产业与配套基础架构的发展7 1.6倒装芯片市场趋势9 1.7倒装芯片的市场驱动力11 1.8从IDM到SAT的转移13 1.9环保法规对下填料，焊料，结构设计等的冲击16 1.10贴装成本及其对倒装芯片技术的影响16 参考文献16 第2章技术趋势：过去，现在和将来17 2.1倒装芯片技术的演变18 2.2一级封装技术的演变20 2.2.1热管理需求20 2.2.2增大的芯片尺寸20 2.2.3对有害物质的限制21 2.2.4RoHS指令与遵从成本23 2.2.5Sn的选择23 2.2.6焊料空洞24 2.2.7软错误与阿尔法辐射25 2.3一级封装面临的挑战26 2.3.1弱BEOL结构26 2.3.2C4凸点电迁移27 2.3.3Cu柱技术28 2.4IC技术路线图28 2.53D倒装芯片系统级封装与IC封装系统协同设计31 2.6PoP与堆叠封装32 2.6.1嵌入式芯片封装34 2.6.2折叠式堆叠封装34 2.7新出现的倒装芯片技术35 2.8总结37 参考文献37 第3章凸点制作技术40 3.1引言41 3.2材料与工艺41 3.3凸点技术的最新进展57 3.3.1低成本焊锡凸点工艺57 3.3.2纳米多孔互连59 3.3.3倾斜微凸点59 3.3.4细节距压印凸点60 3.3.5液滴微夹钳焊锡凸点60 3.3.6碳纳米管（CNT）凸点62 参考文献63 第4章倒装芯片互连：过去，现在和将来66 4.1倒装芯片互连技术的演变67 4.1.1高含铅量焊锡接点68 4.1.2芯片上高含铅量焊料与层压基板上共晶焊料的接合68 4.1.3无铅焊锡接点69 4.1.4铜柱接合70 4.2组装技术的演变71 4.2.1晶圆减薄与晶圆切割71 4.2.2晶圆凸点制作72 4.2.3助焊剂及其清洗74 4.2.4回流焊与热压键合75 4.2.5底部填充与模塑76 4.2.6质量保证措施78 4.3C4NP技术79 4.3.1C4NP晶圆凸点制作工艺79 4.3.2模具制作与焊料转移81 4.3.3改进晶圆凸点制作良率81 4.3.4C4NP的优点：对多种焊料合金的适应性83 4.4Cu柱凸点制作83 4.5基板凸点制作技术86 4.6倒装芯片中的无铅焊料90 4.6.1无铅焊料的性能91 4.6.2固化，微结构与过冷现象93 4.7倒装芯片中无铅焊料的界面反应93 4.7.1凸点下金属化层93 4.7.2基板金属化层95 4.7.3无铅焊锡接点的界面反应96 4.8倒装芯片互连结构的可靠性98 4.8.1热疲劳可靠性98 4.8.2跌落冲击可靠性99 4.8.3芯片封装相互作用：组装中层间电介质开裂101 4.8.4电迁移可靠性104 4.8.5锡疫109 4.9倒装芯片技术的发展趋势109 4.9.1传统微焊锡接点110 4.9.2金属到金属的固态扩散键合113 4.10结束语114 参考文献115 第5章倒装芯片下填料：材料，工艺与可靠性123 5.1引言124 5.2传统下填料与工艺125 5.3下填料的材料表征127 5.3.1差示扫描量热法测量固化特性127 5.3.2差示扫描量热法测量玻璃转化温度129 5.3.3采用热机械分析仪测量热膨胀系数130 5.3.4采用动态机械分析仪测量动态模量131 5.3.5采用热重力分析仪测量热稳定性133 5.3.6弯曲实验133 5.3.7黏度测量133 5.3.8下填料与芯片钝化层粘接强度测量134 5.3.9吸湿率测量134 5.4下填料对倒装芯片封装可靠性的影响134 5.4.1钝化层的影响136 5.4.2黏附性退化与8585时效时间137 5.4.3采用偶联剂改善粘接的水解稳定性140 5.5底部填充工艺面临的挑战141 5.6非流动型下填料143 5.7模塑底部填充148 5.8晶圆级底部填充149 5.9总结153 参考文献154 第6章导电胶在倒装芯片中的应用159 6.1引言160 6.2各向异性导电胶导电膜160 6.2.1概述160 6.2.2分类160 6.2.3胶基体161 6.2.4导电填充颗粒161 6.2.5ACAACF在倒装芯片中的应用162 6.2.6ACAACF互连的失效机理167 6.2.7纳米ACAACF最新进展168 6.3各向同性导电胶173 6.3.1引言173 6.3.2ICA在倒装芯片中的应用178 6.3.3ICA在先进封装中的应用184 6.3.4ICA互连点的高频性能187 6.3.5ICA互连点的可靠性189 6.3.6纳米ICA的最新进展191 6.4用于倒装芯片的非导电胶194 6.4.1低热膨胀系数NCA194 6.4.2NCA在细节距柔性基板芯片封装中的应用196 6.4.3快速固化NCA196 6.4.4柔性电路板中NCA与ACA对比197 参考文献197 第7章基板技术205 7.1引言206 7.2基板结构分类207 7.2.1顺序增层结构207 7.2.2Z向堆叠结构208 7.3顺序增层基板208 7.3.1工艺流程208 7.3.2导线210 7.3.3微通孔217 7.3.4焊盘225 7.3.5芯片封装相互作用231 7.3.6可靠性239 7.3.7历史里程碑245 7.4Z向堆叠基板248 7.4.1采用图形转移工艺的Z向堆叠基板248 7.4.2任意层导通孔基板249 7.4.3埋嵌元件基板250 7.4.4PTFE材料基板253 7.5挑战254 7.5.1无芯基板254 7.5.2沟槽基板255 7.5.3超低热膨胀系数基板257 7.5.4堆叠芯片基板258 7.5.5光波导基板260 7.6陶瓷基板261 7.7路线图262 7.7.1日本电子与信息技术工业协会路线图262 7.7.2国际半导体技术路线图263 7.8总结264 参考文献264 第8章IC封装系统集成设计266 8.1集成的芯片封装系统268 8.1.1引言268 8.1.2设计探索269 8.1.3模拟与分析决策273 8.1.4ICPS设计问题274 8.2去耦电容插入276 8.2.1引言276 8.2.2电学模型278 8.2.3阻抗矩阵及其增量计算280 8.2.4噪声矩阵282 8.2.5基于模拟退火算法的去耦电容插入282 8.2.6基于灵敏度分析算法的去耦电容插入286 8.3TSV 3D堆叠296 8.3.13D IC堆叠技术296 8.3.2挑战298 8.3.3解决方法302 8.4总结316 参考文献316 第9章倒装芯片封装的热管理323 9.1引言324 9.2理论基础325 9.2.1传热理论325 9.2.2电热类比模型327 9.3热管理目标328 9.4芯片与封装水平的热管理330 9.4.1热管理示例330 9.4.2芯片中的热点331 9.4.3热管理方法336 9.5系统级热管理338 9.5.1热管理示例338 9.5.2热管理方法340 9.5.3新型散热技术348 9.6热测量与仿真357 9.6.1封装温度测量358 9.6.2温度测量设备与方法358 9.6.3温度测量标准359 9.6.4简化热模型359 9.6.5有限元计算流体力学仿真360 参考文献362 第10章倒装芯片封装的热机械可靠性367 10.1引言368 10.2倒装芯片组件的热变形369 10.2.1连续层合板模型370 10.2.2自由热变形371 10.2.3基于双层材料平板模型的芯片应力评估372 10.2.4芯片封装相互作用最小化374 10.2.5总结377 10.3倒装芯片组装中焊锡凸点的可靠性377 10.3.1焊锡凸点的热应变测量377 10.3.2焊锡材料的本构方程378 10.3.3焊锡接点的可靠性仿真384 10.3.4下填料粘接强度对焊锡凸点可靠性的影响387 10.3.5总结389 参考文献389 第11章倒装芯片焊锡接点的界面反应与电迁移391 11.1 引言392 11.2无铅焊料与基板的界面反应393 11.2.1回流过程中的溶解与界面反应动力学393 11.2.2无铅焊料与Cu基焊盘的界面反应397 11.2.3无铅焊料与镍基焊盘的界面反应398 11.2.4贯穿焊锡接点的Cu和Ni交叉相互作用403 11.2.5与其他活泼元素的合金化效应405 11.2.6小焊料体积的影响409 11.3倒装芯片焊锡接点的电迁移412 11.3.1电迁移基础413 11.3.2电流对焊料的作用及其引发的失效机理415 11.3.3电流对凸点下金属化层（UBM）的作用及其引发的失效机理421 11.3.4倒装芯片焊锡接点的平均无故障时间426 11.3.5减缓电迁移的策略429 11.4新问题431 参考文献431 附录439 附录A量度单位换算表440 附录B缩略语表443 內容試閱： 原著前言据我们所知，倒装芯片封装技术类的图书大部分都是在10年前编辑和出版的，比较经典的包括刘汉诚（John H. Lau）博士主编的《低成本倒装芯片技术》Mc Graw Hill出版，2006年4月化学工业出版社翻译出版 。那时，倒装芯片技术是奢侈品，只用于如大型机和工作站之类的高端，高性能产品。但是，在过去的10年里，技术的进步使得低成本，高可靠性倒装芯片封装在4C（计算机，通信，消费类和汽车电子）产品以及其他电子产品中的应用激增。随着我们进入电子消费时代，对倒装芯片的需求将进一步增长，以满足消费者对性能，尺寸，成本和环境兼容性等永不满足的需求。过去10年里发生的重要变化使得今天的倒装芯片封装与以往大不相同。随着摩尔定律芯片的介电层从非低k演进到低k，由于低k介电层机械强度较弱，芯片-封装相互作用必须在产品化以前加以解决。而且，随着半导体产业的技术节点从45nm转向32nm及以下，芯片-封装相互作用问题更加突出。除此以外，欧共体颁布的，2006年开始实行的RoHS强制性标准促使全球半导体业（包括倒装芯片制造商和提供商）从含铅封装转向无铅，无卤素封装。过去的10年里，像倒装芯片这样的先进封装可以取得高溢价，而在如今的消费时代，为取得价格优势，倒装芯片正在被其他低成本的封装取代。这种大趋势促使制造商开发低成本的倒装芯片结构，工艺，材料和设备。而且，随着系统级功能集成进程加速，整个半导体工业也转向在芯片，封装，模组，板级系统级中采用更细的节距,在特定应用中，甚至采用具有更细节距的较大尺寸倒装芯片。为支撑倒装芯片的增长，伴生的基板，下填料，互连，设计，仿真和可靠性设计等技术都在持续演进。由于上述原因，具有最高密度的倒装芯片封装技术也在不断再创新，以应对日益增长的对性能，成本，尺寸，环保等的要求。展望未来，随着系统级功能集成加速，倒装芯片封装技术的发展也将加速，特别是对于手机，便携式电脑等移动电子产品。我们坚信，撰写一本能反映过去10年倒装芯片封装技术进展的新书是适时的，而且能够为相关领域的研究人员提供有价值的信息。《先进倒装芯片封装技术》就是这样的一本书，它论述了与倒装球栅阵列和倒装晶圆级封装相关技术的过去，现在和将来的演变趋势。Ho-Ming Tong（唐和明），日月光集团公司Yi-Shao Lai（赖逸少），日月光集团公司C. P. Wong（汪正平），香港中文大学

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