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| 內容簡介： |
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本書以工程師的觀點來完成本書的架構，主要結合半導體元件理論與相關電子電路設計應用為內容，共約四百餘頁，內含六個章節，以電子電路設計上之所需之半導體元件做為論述之重點，提供讀者由基礎半導體元件觀念進入電子電路設計所需之基本知識。內容包含半導體元件原理、大小訊號模型、電子電路設計法則與分析，並詳述各相關半導體元件在電路上所扮演的角色，以及如何完成所需之訊號模型與相關電路設計驗證，最後說明如何完成基本放大器電路分析，每一章節都有提供範例來加深讀者對課程的印象與認知，如此可符合目前電子電路工程師在學習上的需求，並提供未來期望進入電子電路相關產業的人士有一個基本理論知識的教科書與實務練習的工具書。適合讀者包括電機電子等相關高科技產業的新進人員，以及對IC電子產業有興趣的學生和社會人士使用，也可提供電機電子工程師做為參考手冊。
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| 關於作者： |
葉文冠
國立高雄大學電機工程學系教授
國立交通大學電子研究所博士，曾任職台灣積體電路公司tsmc與聯華電子公司UMC。2000年8月轉任國立高雄大學電機工程學系教授，先後擔任電機工程學系系主任、學務長、通識中心主任以及工學院院長，現職為電機工程學系教授，2014年借調科技部擔任國家實驗研究院奈米元件實驗室主任，共發表超過百篇SCI論文以及近百件專利。研究方向主要為奈米元件設計與技術開發、奈米感測元件技術、元件電性分析及可靠度研究。
林成利
逢甲大學電子工程學系副教授
國立交通大學電子研究所博士，博士論文榮獲第七屆科林論文競賽頭等奬，曾任職矽統科技公司SiS製程技術及混合訊號電路設計部資深工程師，以及聯華電子公司UMC可靠度技術發展與保證部RT&A主任工程師與經理。2007年9月任職逢甲大學電子工程學系，曾兼任資電學院秘書，現職為電子工程學系副教授，先後共發表約20篇SCI論文及數十篇會議論文。曾擔任IEEETED、EDL、TDMR、Nanotechnology等國際期刊審稿委員及曾擔任IEDMS國際研討會委員會及審稿委員。研究方向主要為先進CMOS奈米元件技術開發、新型非揮發性記憶體技術、電性量測分析及可靠度研究。
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| 目錄：
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第一章電子電路定理與基本電路概念
1.1電子電路定義
1.2交流訊號
1.3類比與數位訊號
1.4放大器模型
1.5基本電路概念
第二章半導體材料與元件
2.1原子結構與能帶
2.2矽半導體材料
2.3電荷傳輸
2.4p-n接面二極體
2.5n-p-n或p-n-p雙載子電晶體
2.6MOSFET
第三章運算放大器
3.1運算放大器
3.2反相組態與非反相組態放大器
3.3非反相組態放大器
第四章二極體
4.1元件結構與物理操作
4.2二極體電性特性
4.3接面二極體之電容效應
4.4理想二極體
4.5矽半導體之pn接面二極體
4.6順偏操作之二極體模型
4.7崩潰時二極體模型
4.8應用範例─整流線路
4.9應用範例—限壓電路
第五章雙載子接面電晶體
5.1元件結構與物理操作
5.2npn雙載子接面電晶體在主動的操作模式
5.3npnBJT元件在主動區之直流模型
5.4BJT飽和的操作模式
5.5pnp元件在主動區之操作
5.6BJT之電流—電壓特性
5.7BJT線路在DC之操作行為
5.8BJT當作放大器與開關
5.9BJT小訊號分析與模型
5.10單級BJT放大器
5.11單級BJT放大器
5.12BJT放大電路之偏壓方式
第六章金氧半場效電晶體
6.1MOSFET元件結構與物理操作
6.2電流與電壓特性
6.3MOSFET直流電路分析
6.4MOSFET作放大器與開關大信號輸入—輸出轉移特性（TransferCharacteristic）
6.5MOS放大器電路之偏壓
6.6MOS小信號操作與模型（SmallSignalOperationandModel）
6.7單級MOSFET放大器（SingleStageMOSAmplifiers）
6.8MOSFET內部電容以及高頻模型
6.10CMOS數位邏輯反向器
6.11空乏型MOSFET
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