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Rashid）博士，的电气工程专家和电气工程教育专家，目前为西佛罗里达大学电气工程及计算机系教授， IET fellow， IEEE life fellow。拉什德博士毕业于英国伯明翰大学，曾任普渡大学电气与计算机工程系教授，并兼任系主任，有着多年电力电子教学与科研的经验。他曾在美国，加拿大，英国，沙特阿拉伯等多地进行教学和研究工作，在工业界与学术界都享有盛名。拉什德博士出版了17部专著，发表过160篇学术论文，本书第四版获得业界广泛认可，并被译成西班牙文、葡萄牙文、印尼文、韩文、意大利文、中文，以及波斯文等多种语言。由于在研究和教育领域的杰出贡献，拉什德博士曾获得了多项IEEE殊荣。 目錄： 出版者的话 译者序 前言 致谢 第1章简介 1.1电力电子学的应用 1.2电力电子学的历史 1.3电力电子电路的分类 1.4电力电子器件的设计 1.5确定波形的RMS值 1.6外围效应 1.7开关器件的特性和指标 1.8功率半导体器件 1.9电力电子器件的控制特性 1.10器件选择 1.11功率模块 1.12智能模块 1.13电力电子的期刊及会议 本章小结 参考文献 复习题 习题 第一部分功率二极管和整流器 第2章功率二极管及开关RLC电路 2.1引言 2.2半导体基础 2.3二极管特性 2.4反向恢复特性 2.5功率二极管的种类 2.6碳化硅二极管 2.7碳化硅肖特基二极管 2.8SPICE二极管模型 2.9串联二极管 2.10并联二极管 2.11带RC负载的二极管电路 2.12带RL负载的二极管电路 2.13带LC负载的二极管电路 2.14带RLC负载的二极管电路 2.15RL负载与续流二极管 2.16利用二极管进行能量回收 本章小结 参考文献 复习题 习题 第3章二极管整流器 3.1引言 3.2性能参数 3.3单相全波整流器 3.4带RL负载的单相全波整流器 3.5带高度感性负载的单相全波整流器 3.6多相星形整流器 3.7三相桥式整流器 3.8带RL负载的三相桥式整流器 3.9带高度感性负载的三相整流器 3.10二极管整流器的比较 3.11整流器电路设计 3.12经过LC滤波器的输出电压 3.13电源和负载电感的影响 3.14选择电感器和电容器的实际考虑 本章小结 参考文献 复习题 习题 第二部分功率晶体管和DC-DC变换器 第4章功率晶体管 4.1引言 4.2碳化硅晶体管 4.3电力MOSFET 4.4COOLMOS 4.5JFET 4.6双极结型晶体管 4.7IGBT 4.8SIT 4.9晶体管的对比 4.10功率晶体管的降额 4.11didt和dvdt的限制 4.12串并联运行 4.13SPICE模型 4.14MOSFET门极驱动 4.15JFET门极驱动 4.16BJT基极驱动 4.17门极和基极驱动的隔离 4.18门极驱动电路的芯片 本章小结 参考文献 复习题 习题 第5章DC-DC变换器 5.1引言 5.2DC-DC变换器的性能参数 5.3降压工作的原理 5.4带阻感性负载的降压型变换器 5.5升压工作的原理 5.6带阻性负载的升压型变换器 5.7频率限制参数 5.8变换器分类 5.9开关稳压源 5.10稳压源间的比较 5.11多输出boost变换器 5.12二极管整流器供电的boost变换器 5.13变换器的平均模型 5.14稳压源的状态空间分析 5.15输入滤波器及变换器的设计问题 5.16变换器的驱动电路 本章小结 参考文献 复习题 习题 第三部分逆变器 第6章DCAC变换器 6.1引言 6.2性能指标 6.3工作原理 6.4单相桥式逆变器 6.5三相逆变器 6.6单相逆变器的电压控制 6.7三相逆变器的电压控制 6.8谐波消除技术 6.9电流源型逆变器 6.10可变直流环节逆变器 6.11升压逆变器 6.12逆变器主电路设计 本章小结 参考文献 复习题 习题 第7章谐振脉冲逆变器 7.1引言 7.2串联谐振逆变器 7.3串联谐振逆变器的频率响应 7.4并联谐振逆变器 7.5谐振逆变器的电压控制 7.6E类谐振逆变器 7.7E类谐振整流器 7.8零电流开关谐振变换器 7.9零电压开关谐振变换器 7.10零电流及零电压开关谐振变换器之间的比较 7.11二象限ZVS谐振变换器 7.12直流母线谐振逆变器 本章小结 参考文献 复习题 习题 第8章多电平逆变器 8.1引言 8.2多电平的概念 8.3多电平逆变器的类型 8.4二极管钳位型多电平逆变器 8.5飞跨电容型多电平逆变器 8.6级联型多电平逆变器 8.7应用 8.8开关管电流 8.9直流电容电压平衡 8.10多电平逆变器的特点 8.11多电平逆变器的比较 本章小结 参考文献 复习题 习题 第四部分晶闸管与晶闸管变换器 第9章晶闸管 9.1引言 9.2晶闸管特性 9.3晶闸管的双晶体管模型 9.4晶闸管的导通 9.5晶闸管的截止 9.6晶闸管类型 9.7晶闸管的串联运行 9.8晶闸管的并联运行 9.9didt保护 9.10dvdt保护 9.11晶闸管的SPICE模型 9.12DIAC 9.13晶闸管触发电路 9.14单结晶体管 9.15可编程单结晶体管 本章小结 参考文献 复习题 习题 第10章可控整流器 10.1引言 10.2单相单全桥变换器整流 10.3单相双全桥变换器整流 10.4三相桥式变换器整流 10.5三相双变换器整流 10.6脉冲宽度调制 10.7单相串联整流器 10.8十二脉波整流器 10.9整流器电路的设计 10.10负载和电源电感的影响 本章小结 参考文献 复习题 习题 第11章交流电压控制器 11.1引言 11.2交流电压控制器的性能参数 11.3带阻性负载的单相全波控制器 11.4带感性负载的单相全波控制器 11.5三相全波控制器 11.6三角形联结三相全波控制器 11.7单相变压器联结转换开关 11.8周波变换器 11.9PWM控制的交流电压控制器 11.10矩阵变换器 11.11交流电压控制器电路设计 11.12电源及负载电感的影响 本章小结 参考文献 复习题 习题 第五部分电力电子技术应用及其保护 第12章交流柔性输电系统 12.1引言 12.2电能传输的基本原理 12.3并联补偿的原理 12.4并联补偿器 12.5串联补偿原理 12.6串联补偿器 12.7相角补偿原理 12.8相角补偿器 12.9统一的功率流动控制器 12.10补偿器的比较 本章小结 参考文献 复习题 习题 第13章电源 13.1引言 13.2直 內容試閱： 本书第4版为大三、大四电力和电子工程专业的电力电子技术静态变流技术的教材。本书也可以作为研究生教材或初级电力电子工程师的参考读物。本书的前导课程包括电子基础和电路基础课程。本科电力电子课程通常开设一学期。随着电力电子技术的发展，一学期的学时已经无法涵盖电力电子技术的全部知识。本书涵盖的内容已超过了一学期的课程范围。对于本科课程，第1章~第11章已经可以提供充足的电力电子基础知识。第12章~17章可以留给其他课程或者包含在研究生课程中。表P1列出了“电力电子技术”课程一学期推荐的专题，表P2为“电力电子和电机驱动”课程一学期推荐的专题。 表P1“电力电子技术”课程一学期推荐的专题 章专题节课时 1简介1.1~1.122 2功率二极管和电路2.1~2.4,2.6~2.7,2.11~2.163 3二极管整流器3.1~3.115 4功率晶体管4.1~4.93 5DC-DC变换器5.1~5.95 6PWM逆变器6.1~6.77 7谐振脉冲逆变器7.1~7.53 9晶闸管9.1~9.102 10可控整流器10.1~10.56 11交流电压控制器11.1~11.53 期中考试和小测验3 期末考试3 在为期15周的一学期中的所有课时45 表P2“电力电子和电机驱动”课程一学期推荐的专题 章专题节课时 1简介1.1~1.102 2功率二极管和电路2.1~2.72 3二极管整流器3.1~3.84 4功率晶体管4.1~4.81 5DC-DC变换器5.1~5.84 14直流驱动14.1~14.75 6PWM逆变器6.1~6.105 7晶闸管9.1~9.61 附录A三相电路所有节1 10可控整流器10.1~10.75 11交流电压控制器11.1~11.52 附录B磁路B.1~B.21 15交流驱动系统15.1~15.96 期中考试和小测验3 期末考试3 在为期15周的一学期中的所有课时45 电力电子的基础已经建立，其基本内容不会快速改变。然而，随着电力电子器件特性持续改善和新器件的不断涌现，电力电子技术有了新的发展。电力电子技术自下而上地涵盖了器件特性、功率转换技术及其应用。它强调的是功率转换的基础原理。本书第4版是第3版的完整修订本。主要的修订包含以下几点： ●按照自下而上（而不是自上而下）的顺序进行介绍，首先介绍器件和变换器特性，然后再介绍功率变换技术； ●涵盖了碳化硅（SiC）器件的发展； ●介绍了DCDC变换器平均模型； ●扩展了关于空间矢量调制技术的最新发展的章节； ●删除了关于静态开关的章节； ●增加了关于可再生能源的章节并且涵盖了其发展现状； ●将门极驱动电路（第3版中的第17章）与其他功率器件和变换器相关的章节合并； ●扩展介绍了直流驱动和交流驱动的控制方法； ●在书的章节和段落中加入了解释。 本书分为五部分： 第一部分：功率二极管和整流器——第2章和第3章 第二部分：功率晶体管和DCDC变换器——第4章和第5章 第三部分：逆变器——第6~8章 第四部分：晶闸管和晶闸管变换器——第9~11章 第五部分：电力电子应用及其保护——第12~17章 附录里涵盖了如三相电路、磁路、变换器的开关函数、直流瞬变分析、傅里叶分析和坐标变换等专题。电力电子技术利用半导体器件实现对电能的控制和转换。这种转换技术需要对电力半导体器件进行开通和关断控制。其底层电子电路通常包含集成电路和分立元件，用来产生驱动功率器件所需的门极信号。这些集成电路和离散元件正逐渐被微处理器和信号处理集成电路所替代。 理想功率器件应该在开通时间、关断时间、电流耐量、耐压能力方面没有任何限制。随着功率半导体技术不断进步，器件电压和电流耐量不断提高，高速功率器件得到了迅速的发展。电力开关器件（如功率BJT、功率MOSFET、 SIT、IGBT、MCT、SITH、SCR、TRIAC、GTO、MTO、ETO、IGCT和其他半导体器件）在大量产品中逐步得到了广泛应用。 随着技术的发展和更多电力电子新应用的出现，对新型低损耗高温功率器件的研发需求也逐渐得到了关注。随着技术的不断进步，传统器件的性能已经得到了长足的发展，硅器件的性能已经几乎达到了其物理极限。在近年来的器件研究和发展的推动下，碳化硅电力电子已经从一个有前途的技术发展为一个能在高效、高频、高温应用中取代硅技术的并且具有强竞争力的选择。碳化硅电力电子有更高的电压等级，更低的电压降，更高的结温，以及更高的热导电性。在未来的几年中，我们可预见碳化硅功率器件将引起一系列的变革，并最终引领一个电力电子及其应用的新时代。 随着开关器件速度的提升，人们广泛使用现代微处理器和信号处理器来实现各种复杂的控制策略，提供器件门极驱动信号，以此来满足不同变换器的需求。这一举措进一步拓宽了电力电子的应用范围。在20世纪90年代初，电力电子革命就已经获得了阶段性的成就。新的电力电子时代已经开始。这是第三次电力电子革命的开端，它将在世界范围内影响可再生能源处理和节能的面貌。在未来30年中，电力电子将成为发电侧和用电端之间电能质量控制的主要手段。电力电子还有许多的应用尚未得到全面开发，本书将涵盖尽可能多的潜在应用。 欢迎对本书提出任何评论和建议，请将您宝贵的意见和建议发送给作者。 Dr Muhammad H Rashid Professor of Electrical and Computer Engineering University of West Florida 11000 University Parkway

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