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| 內容簡介： |
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《高温SiC MEMS传感器的热电特性》主要介绍了碳化硅(SiC)传感器在高温下热电特性的研究进展。《高温SiC MEMS传感器的热电特性》可分为三部分，共七章。第一部分从单层SiC和多层SiC的热阻效应、热电效应、热电子效应和热电容效应等物理效应方面来介绍SiC的热电特性；第二部分介绍了SiC的诸多重要特征以及SiC MEMS的制造流程，总结了SiC传感器、热流传感器和对流惯性传感器的最新进展；第三部分论述了SiC热电传感器的应用前景。
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目录第1章 SiC及热电特性简介 11.1 背景 11.2 SiC 31.3 SiC 生长 41.4 热电特性 51.5 高温SiCMEMS传感器 7参考文献 8第2章 SiC热电特性基础 122.1 热阻效应 122.1.1 半导体材料的物理参数与基本概念 142.1.2 单晶碳化硅 152.1.3 多晶破化硅 172.1.4 非晶碳化硅 182.2 热电子效应 182.3 热电容效应 202.4 热电效应 202.5 高温下SiC热电特性的研究现状 212.5.1 热电效应的试验装置 222.5.2 单层SiC的热阻效应 222.5.3 多层SiC的热电效应 312.6 4H-SiCp-n结 332.7 高温下其他热电特性 362.7.1 热电效应 362.7.2 热电容效应 38参考文献 39第3章 高温SiC传感器的理想性能 473.1 灵敏度 473.2 线性度 503.3 热响应时间 513.4 低功耗 533.5 稳定性和其他性能 54参考文献 55第4章 SiCMEMS传感器的制备 604.1 生长与掺杂 604.1.1 SiC的生长 604.1.2 SiC掺杂 624.2 SiC刻蚀 634.2.1 电化学刻蚀 644.2.2 化学刻蚀 654.2.3 干法刻蚀或反应离子刻蚀 654.3 SiC的欧姆接触和肖特基接触 674.3.1 欧姆接触 674.3.2 肖特基接触 714.4 SiCMEMS传感器的制造工艺 744.4.1 表面微加工工艺 744.4.2 体微加工工艺 744.4.3 集成冷却系统的MEMS器件的制备 77参考文献 78第5章 设计和工艺对SiC热器件性能的影响 845.1 衬底影响 845.2 掺杂影响 855.3 表面形貌 875.4 沉积温度 885.5 几何与尺寸 89参考文献 90第6章 SiC热电特性的应用 966.1 温度传感器、温度控制/补偿与热测量 966.1.1 热电阻 976.1.2 p～n结温度传感器 996.2 热阻传感器 1006.2. 1 热线及热膜式流量传感器 1026.2. 2 量热式流量传感器 1076.2.3 飞行时间流量传感器 1086.3 对流加速度计与陀螺仪 1096.3.1 对流加速度计 1096.3.2 对流陀螺仪 1106.4 其他应用 1116.4.1 易燃气体传感器 1116.4.2 集成加热、感知和微流控冷却的SiC MEMS 112参考文献 116第7章 SiC热电传感器展望 1237.1 绝缘体上SiC薄膜 1237.2 SiC热电器件与其他材料的集成 1257.3 SiC热驱动器 1267.4 SiC传感器的发展与挑战 127参考文献 129
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