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『簡體書』多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用

書城自編碼: 3914278
分類: 簡體書→大陸圖書→工業技術電子/通信
作 者: 贺朝会,唐杜,臧航,邓亦凡,田赏
國際書號(ISBN): 9787030764690
出版社: 科学出版社
出版日期: 2023-10-01

頁數/字數: /
書度/開本: 16开 釘裝: 平装

售價:NT$ 765

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內容簡介:
本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法,包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等,模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米,时间从亚皮秒量级到106s,并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用,揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律,在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。

 

 

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