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日］菅沼克昭Katsuaki Suganuma
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宽禁带功率半导体封装 材料、元件和可靠性 菅沼克昭
作者：[日］菅沼克昭[Katsuaki Suganuma] 出版：机械工业出版社 日期：2024-09-01 第三代宽禁带功率半导体，是指以碳化硅（SiC)和氮化镓(GaN)为材料的半导体，由于其高耐压、高电子迁移率、耐高温等特性，在许多场合体现出比上一代硅（Si）基半 ... |
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