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編輯推薦： 《硅灰石基LTCC陶瓷基板材料改性及介电机理》较为详细地介绍了硅灰石型玻璃陶瓷基板材料制备、对硅灰石型玻璃陶瓷的结晶相和玻璃相进行了定量分析、建立主晶相硅灰石（β-CaSiO3）的介电模型，并着重讨论烧结温度对硅灰石介电性能的影响。根据广义等效介质方程，建立了β-CaSiO3、CaB2O4、SiO2和残余玻璃的复合介质模型，并讨论不同组分的β-CaSiO3所形成的复合材料的介电常数和损耗随温度的变化关系。并用实验结果对理论模型进行了修正。为基板材料的理论和实验相结合研究提供了一个典型的范例。 內容簡介： 电子科学与技术、微电子与固体电子学、材料学、化学等相关领域的研究生以及从事低温共烧陶瓷LTCC材料及其技术研究工作的技术人员、管理干部、工程师等。 目錄： 1　绪论 　1.1　多芯片组件 　1.2　低温共烧技术 1.2.1　LTCC的发展现状 1.2.2　LTCC的材料体系 　1.3　硅灰石基LTCC基板材料 1.3.1　硅灰石概述 1.3.2　硅灰石基LTCC材料的实验研究状况 1.3.3　硅灰石基LTCC基板材料的理论研究状况 2　硅灰石基LTCC样本制备 　2.1　引言 2.1.1　硅灰石晶体及玻璃陶瓷 2.1.2　硅灰石基LTCC常见制备方法 　2.2　硅灰石基LTCC材料的制备 2.2.1　B系样本的配方设计 2.2.2　性能测试 2.2.3　结果与讨论 　2.3　Zr掺杂的硅灰石基LTCCZ系的制备和性能分析 2.3.1　Zr掺杂的硅灰石基LTCC的制备 2.3.2　结果与讨论 　2.4　Ti掺杂的硅灰石基LTCCT系的制备和性能研究 2.4.1　T系样本的制备 2.4.2　结果与讨论 3　硅灰石基LTCC材料的定量分析 　3.1　引言 　3.2　XRD测试过程 　3.3　Rietveld全谱拟合结合体积加和法则进行定量分析 3.3.1　Rietveld全谱拟合分析方法与原理 3.3.2　结果与讨论 　3.4　Rietveld全谱拟合法结合分峰法定量分析 3.4.1　分峰法计算原理 3.4.2　结晶峰与非结晶峰的分离 4　硅灰石晶体电子结构及介电性能第一性原理计算 　4.1　引言 　4.2　计算模型和方法 4.2.1　计算模型 4.2.2　计算方法 　4.3　计算结果与讨论 4.3.1　晶体结构 4.3.2　电子结构 4.3.3　Mulliken电荷分布 4.3.4　光学吸收 4.3.5　复介电函数 4.3.6　折射率 　4.4　小结 5　硅灰石介电机理 　5.1　引言 　5.2　硅灰石极化机制 5.2.1　电子位移极化率 5.2.2　离子位移极化率 5.2.3　热离子极化率 　5.3　硅灰石静态介电常数的计算 5.3.1　硅灰石光频介电常数的计算及修正 5.3.2　静态介电常数的计算及修正 5.3.3　静态介电常数温度系数 　5.4　交流介电常数 5.4.1　热离子活化能U和松弛时间γ 5.4.2　复介电常数的实部ε’和虚部ε” 　5.5　硅灰石介电损耗 6　硼酸钙、石英晶体和残余玻璃的介电性能 　6.1　硼酸钙晶体介电性能 6.1.1　硼酸钙晶体静态介电常数 6.1.2　硼酸钙晶体复介电常数 6.1.3　硼酸钙晶体的介电损耗 　6.2　石英晶体介电性能 6.2.1　石英晶体介电常数 6.2.2　石英晶体损耗 　6.3　无定形玻璃相的介电常数ε和介电损耗tanδ 7　硅灰石基LTCC材料的介电性能 　7.1　复合材料的介电性能计算理论 　7.2　硅灰石基LTCC材料的介电常数 参考文献 索引

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