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內容簡介： 本书共11章，主要内容包括辐射环境、辐射效应相关的半导体基础知识、辐射效应的一般概念、半导体材料的辐射效应、Si器件的辐射效应、GaAs半导体器件的辐射效应、光电子器件的辐射效应、Si集成电路的辐射效应及加固技术、纳米级CMOS集成电路的辐射效应及加固技术、半导器件辐射效应的一些新研究动向、辐射效应模拟试验及测试技术。 關於作者： 刘忠立，长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究。现任院微电子研究所特聘研究员，传感技术国家重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会委员。 高见头，男，硕士，院微电子研究所不错工程师,长期从事半导体集成电路与功率器件辐照能力评估与抗辐照加固工作,在NSREC、TNS等靠前外会议、期刊发表论文数十篇。 目錄： ●目录 章 辐射环境 1.1 引言 1.2 辐射环境的种类 1.3 小结 第2章 辐射效应相关的半导体基础知识 2.1 引言 2.2 本征半导体及非本征半导体 2.3 半导体中载流子的产生及复合 2.4 载流子的迁移率 2.5 pn结二级管 2.6 肖特基结二极管 2.7 MOS电容及MOSFET 2.8 直接有辐射环境的半导体工艺 2.9 小结 第3章 辐射效应的一般概念 3.1 引言 3.2 辐射剂量学 3.3 电离辐射效应 3.4 位移损伤 3.5 辐射损伤对器件特性的影响 3.6 常用辐射缺陷分析方法概述3.7 小结 第4章 半导体材料的辐射效应。 4.1 引言 4.2 Si的辐射效应 4.3 Ge的辐射效应 4.4 SiGe的辐射效应 4.5 GaAs的辐射效应 4.6 SiC的辐射效应 4.7 小结 第5章 Si器件的辐射效应 5.1 引言 5.2 Si双极器件的辐射效应 5.3 Si 场效应器件的辐射效应 5.4 小结 第6章 GaAs半导体器件的辐射效应 6.1 引言 6.2 GaAsMESFET的辐射效应 6.3 GaAsHEMT的辐射效应 6.4 GaAsHBT的辐射效 6.5 小结 第7章 光电子器件的辐射效应7.1 引言 7.2 光电器件的结构及工作 7.3 基本的辐射效应及材料问题 7.4 光电器件的辐射效应 7.5 小结 第8章 Si集成电路的辐射效应及加固技术 8.1 引言 8.2 Si双极集成电路的辐射效应及加固技术 8.3 SiCMOS集成电路的辐射效应及加固技术 8.4 小结 第9章 纳米级CMOS集成电路的辐射效应及加固技术 引言 9.2 纳米级CMOS集成电路的发展概况 9.3 CMOS集成电路缩比过程中的重要改进 9.4 纳米级CMOS集成电路的辐射效应研究概况 9.5 小结 0章 半导器件辐射效应的一些新研究动向10.1 引言 10.2 航空及地面的单粒子效应 10.3 综合辐射环境下的辐射效应 10.4. 重离子引起的半导体器件微剂量效应及微损伤效应 10.5 宽带隙SiC及GaN半导体功率器件的辐射效应 10.6 小结 1章 辐射效应模拟试验及测试技术 11.1 引言 11.2 电离总剂量辐射的模拟试验及测试技术 11.3 瞬态剂量率辐射的模拟试验及测试技术 11.4 单粒子辐射模拟试验及测试技术 11.5 中子辐射的模拟试验及测试技术 11.6 小结

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