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內容簡介： 宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的**选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种*重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 目錄： 目录 丛书序 序 前言 第1章 绪论1 第2章 氮化物宽禁带半导体及其异质结构的物理性质6 2.1 氮化物半导体的基本物理性质6 2.2 氮化物半导体异质结构的基本物理性质10 2.3 氮化物半导体异质结构中2DEG的高场输运性质12 2.4 氮化物半导体异质结构中2DEG的量子输运性质18 2.5 氮化物半导体异质结构中2DEG的自旋性质23 参考文献27 第3章 氮化物半导体及其异质结构的外延生长34 3.1 氮化物半导体的外延生长方法概述34 3.2 氮化物半导体的同质外延生长57 3.3 氮化物半导体的异质外延生长61 参考文献79 第4章 氮化物半导体射频电子器件93 4.1 GaN基射频电子器件概述93 4.2 SiC衬底上GaN基微波功率器件94 4.3 Si衬底上GaN基射频电子器件104 4.4 GaN基超高频电子器件108 4.5 GaN基射频电子器件的应用113 参考文献119 第5章 氮化物半导体功率电子器件123 5.1 GaN基功率电子器件概述123 5.2 增强型GaN基功率电子器件及异质结构能带调制工程125 5.3 GaN基功率电子器件表面／界面局域态特性与调控136 5.4 GaN基垂直结构功率电子器件140 5.5 GaN基功率电子器件的可靠性147 5.6 GaN基功率电子器件的应用158 参考文献167 第6章 SiC半导体单晶衬底及外延材料176 6.1 SiC半导体的基本物理性质176 6.2 SiC半导体单晶衬底材料的生长179 6.3 SiC半导体材料的外延生长184 参考文献199 第7章 SiC半导体功率电子器件205 7.1 SiC基功率电子器件概述205 7.2 SiC基整流二极管206 7.3 SiC基功率开关器件216 7.4 SiC基功率电子器件的应用226 参考文献230 第8章 半导体金刚石材料与功率电子器件236 8.1 半导体金刚石的基本物理性质236 8.2 金刚石单晶材料的制备方法245 8.3 单晶金刚石衬底的制备251 8.4 高质量半导体金刚石薄膜的外延生长256 8.5 半导体金刚石的掺杂和电导调控257 8.6 金刚石基半导体功率电子器件261 参考文献269 第9章 氧化镓半导体功率电子材料与器件280 9.1 氧化镓半导体的基本物理性质280 9.2 氧化镓半导体单晶材料的生长282 9.3 氧化镓基半导体功率电子器件296 参考文献309书摘插画

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