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內容簡介： 全书分3章， 共26个实验，第1章为基础工艺，包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、 等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程；第2章为检测测量技术，包含MOSFET 器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法 (FTIR) 测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD 器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量；第3章为工艺基础及应用，包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体 (ICP) 特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生 O3 及其应用的实验探索。本书的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、 基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法， 为半导体材料与器件的开发、 设计与研制打下坚定基础。 目錄： 目录 ■ 章基础工艺 实验11真空技术/2 实验12硅片的清洗及氧化 /10 实验13光刻工艺流程实验教学/16 实验14氧等离子体刻蚀/20 实验15等离子体增强化学气相沉积/27 实验16磁控溅射法制备金属薄膜/33 实验17原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及 工艺流程/38 ■ 第二章检测测量技术 实验21MOSFET器件特性的测量与分析/45 实验22椭圆偏振仪测薄膜厚度/51 实验23紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度/56 实验24傅立叶变换红外光谱法(FTIR) 测定硅中杂质氧的含量/62 实验25等离子体朗缪尔探针诊断技术/68 附录/74 实验26等离子体发射光谱诊断技术/78 附录/83 实验27质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验/84 实验28半导体二极管的伏安特性及温度特性/90 实验29ICCD器件的特性研究及应用/95 实验210四探针法测量相变材料的变温电阻曲线/104 实验211薄膜厚度和形貌测量/111 ■ 第三章工艺基础及应用 实验31表面波等离子体放电实验/118 实验32脉冲放电等离子体特性实验/125 实验33低气压容性耦合等离子体特性实验/130 附录/135 实验34低气压感性耦合等离子体(ICP)特性实验/137 实验35等离子体晶格/141 实验36等离子体功能材料制备与光学性能检测/147 实验37低温等离子体染料废水处理实验/151 实验38低温等离子体产生O3及其应用的实验探索/160 ■ 参考文献/164

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