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| 內容簡介： |
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《表面分析》详尽介绍了X射线光电子能谱、俄歇电子能谱、紫外光电子能谱、低能离子散射谱、电子能量损失谱等现代表面分析技术的基本原理、操作方法、仪器构造和数据解析，提供了丰富的应用实例，展示了这些技术在材料科学、催化、生物学等领域的广泛应用，注重理论与实践的结合。《表面分析》还介绍了表面分析技术的高时空分辨率、原位表征等最新发展趋势，使读者能及时掌握表面分析领域的最新动态，助力国家新质生产力的发展。
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| 目錄：
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目录前言第1章 绪论 11.1 电子能谱学 11.1.1 电子能谱学的范畴 11.1.2 电子能谱学的基本原理 11.1.3 电子能谱学的应用范围 11.1.4 电子能谱学的物理基础 21.1.5 电子能谱学与其他学科的关系 21.1.6 电子能谱学的发展基础 31.2 电子能谱学的研究内容 31.3 电子能谱学与表面分析的关系 41.4 电子能谱学的应用 51.5 电子能谱学的发展趋势 61.6 本书的主要内容和参考书 6第2章 X射线光电子能谱 72.1 X射线光电子能谱的发展历史与特点 72.1.1 X射线光电子能谱的发展历史 72.1.2 X射线光电子能谱的特点 82.2 工作原理 82.2.1 X射线光电子能谱的基本原理 82.2.2 电子结合能原理 182.2.3 化学位移理论 262.2.4 终态效应及伴峰结构 35第3章 X射线光电子能谱的结构和发展 543.1 X射线光电子能谱的发展历史 543.2 主要构成 543.2.1 真空系统 553.2.2 X射线源 563.2.3 X射线的单色化 603.2.4 能量分析器 613.2.5 检测器 633.2.6 离子束溅射 653.3 XPS的最新发展 683.3.1 小面积XPS 693.3.2 成像XPS 703.4 应用举例和数据分析 74参考文献 116第4章 X射线光电子能谱的分析方法 1194.1 样品的制备 1194.1.1 样品的大小 1194.1.2 粉体样品 1194.1.3 含挥发性物质的样品 1194.1.4 污染的样品 1194.1.5 带磁性的样品 1204.2 离子溅射技术 1204.2.1 概述 1204.2.2 离子溅射的影响因素 1204.3 样品的荷电及消除 1214.3.1 荷电的产生 1214.3.2 荷电的消除 1214.3.3 荷电的校准 1224.4 XPS的定性分析 1224.4.1 XPS定性分析依据 1224.4.2 XPS定性分析方法 1224.4.3 XPS定性分析的实例 1234.5 XPS的定量分析 1244.5.1 影响谱峰强度的因素 1244.5.2 非弹性散射平均自由程 1274.5.3 XPS的定量计算 1284.5.4 理想模型法 1294.5.5 元素灵敏度因子法 1304.5.6 理论计算值与实测值的相关性 1314.6 化学价态分析 1314.7 俄歇参数法 1324.8 深度剖析方法 1334.8.1 变角XPS分析方法 1334.8.2 Tougaard深度剖析法 1364.8.3 离子束溅射深度分析 1374.9 XPS指纹峰分析 1384.9.1 XPS的携上峰分析 1394.9.2 XAES分析 1394.9.3 XPS价带谱分析 1404.9.4 图像XPS分析 1424.10 应用举例和数据分析 144参考文献 183第5章 X射线光电子能谱的应用 1865.1 概述 1865.2 无机物的鉴定 1885.2.1 XPS研究金属元素的自旋状态 1885.2.2 多重分裂研究未成对电子 1895.2.3 氧化态的研究 1895.2.4 配体的种类 1905.2.5 无机物结构的测定 1905.3 有机物与聚合物的研究 1915.3.1 聚合物成分的分析 1925.3.2 聚合物基团的确定 1935.3.3 表面处理对聚合物表面的影响 1935.4 催化剂的研究 1965.5 应用举例和数据分析 198参考文献 232第6章 俄歇电子能谱 2356.1 概述 2356.2 基本原理 2366.2.1 俄歇跃迁及俄歇电子发射 2366.2.2 俄歇电子的能量分布 2376.2.3 俄歇跃迁过程的种类与表示 2386.2.4 俄歇跃迁概率 2406.2.5 俄歇电子动能 2426.2.6 俄歇电子强度 2436.2.7 俄歇电子能谱表达 2476.2.8 俄歇化学位移 2486.3 应用举例和数据分析 252参考文献 287第7章 俄歇电子能谱仪 2907.1 俄歇电子能谱仪的基本结构 2907.1.1 电子源 2907.1.2 能量分析器 2927.2 俄歇电子能谱仪的实验技术 2937.2.1 样品制备技术 2937.2.2 样品大小 2937.2.3 粉末样品 2937.2.4 含有挥发性物质的样品 2947.2.5 表面有污染的样品 2947.2.6 带有微弱磁性的样品 2957.2.7 离子束溅射技术 2957.2.8 样品的荷电问题 2967.2.9 俄歇电子能谱采样深度 2967.2.10 电子束和X射线激发的俄歇电子能谱的比较 2977.3 俄歇电子能谱图的分析技术 2977.3.1 定性分析 2977.3.2 表面元素的半定量分析 3007.3.3 表面元素的化学价态分析 3027.3.4 俄歇深度分析 3077.3.5 微区分析 309第8章 俄歇电子能谱的应用 3158.1 固体表面清洁度的测定 3158.2 表面吸附和化学反应的研究 3158.2.1 表面吸附的研究 3168.2.2 表面吸附过程 3178.3 薄膜的研究 3188.3.1 薄膜厚度的测定 3188.3.2 薄膜界面的扩散反应研究 3188.3.3 薄膜制备的研究 3218.3.4 薄膜催化剂的研究 3238.4 离子注入研究 3278.5 表面偏析研究 3298.6 固体化学反应研究 3318.7 表面扩散研究 3338.8 摩擦化学研究 3348.9 核材料研究 3368.10 应用举例和数据分析 337参考文献 374第9章 紫外光电子能谱 3779.1 概述 3779.2 基本原理 3779.3 非键或弱键电子峰的化学位移 3839.4 紫外光电子能谱的解释 3849.4.1 严格的方法 3849.4.2 简化的方法 3859.4.3 谱带的形状和位置 3859.4.4 电子接受或授予效应 3879.4.5 轨道的相互作用 3899.5 紫外光电子能谱仪 3919.6 实验技术 3949.6.1 样品的制备和引入 3949.6.2 谱的校正 3959.7 紫外光电子能谱的应用 3969.7.1 测量电离电位 3979.7.2 研究化学键 3979.7.3 测定分子结构 3999.7.4 定性分析 3999.7.5 定量分析 4019.7.6 固体表面的吸附作用 4029.7.7 固体表面电子结构 4039.7.8 储氢材料的研究 4049.8 应用举例和数据分析 405参考文献 437第10章 低能离子散射谱 44010.1 概述 44010.2 LEIS和RBS的比较 44110.3 LEIS的工作原理 44110.4 散射产额 44310.5 阴影效应 44410.6 荷电效应 44610.7 离子中和效应 44710.8 LEIS装置 44910.8.1 离子源 45010.8.2 真空系统和散射室 45110.8.3 能量分析器 45210.9 LEIS仪器操作要点 45210.9.1 入射离子及其能量的选择 45210.9.2 角度的选择 45310.9.3 质量分辨率 45410.9.4 定量分析 45410.9.5 低能背景 45410.9.6 多重散射和沟道效应 45510.10 进展 45510.11 应用 45610.11.1 表面定性分析 45610.11.2 表面成分分析 45710.11.3 表面结构分析 45810.11.4 二次散射和多次散射、表面缺陷分析 45810.11.5 研究热电子阴极激活过程 45910.11.6 LEIS研究Ni3Ti合金 46010.11.7 Cu-Zn催化剂的研究 46110.11.8 LEIS测定负载型催化剂中活性组分与载体之间的相互作用 46210.12 应用举例和数据分析 463参考文献 502第11章 电子能量损失谱 50511.1 概述 50511.2 电子能量损失谱的定义及特点 50511.2.1 电子能量损失谱的定义 50511.2.2 电子能量损失谱的特点 50611.3 电子能量损失谱的原理 50611.3.1 入射电子与试样相互作用过程 50611.3.2 电子能量损失过程 50711.4 电子能量损失谱的工作原理 50911.5 非弹性散射理论简介 50911.5.1 电子能量损失谱的基本公式 51011.5.2 **的介电理论 51011.5.3 量子力学的介电理论 51211.6 低能电子能量损失谱的实验装置 51211.7 高分辨电子能量损失谱和表面振动研究 51311.7.1 晶体清洁表面的声子能量损失谱 51311.7.2 吸附表面的声子能量损失谱 51511.8 电子能量损失谱的应用 51811.8.1 吸附位的研究 51911.8.2 分析双原子分子在金属表面的分解反应 52011.8.3 甲醇分解研究 52111.8.4 氧化过程的研究 52211.9 应用举例和数据分析 523参考文献 557
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