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	应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术作者：郝敏如　　出版：中国石化出版社有限公司　　日期：2020-05-01 本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；*后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究， ...	詳情>>	售價：NT$ 408

>>> （頁碼:1/1　行數:20/1） 1

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