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中国科学院半导体研究所
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芯片的较量 日美半导体风云
作者:[日]牧本次生 出版:机械工业出版社 日期:2024-12-01 牧本次生作为日本半导体产业协会理事长、《日美半导体协议》贸易谈判代表团团长,以65年行业深厚积淀,为你揭秘日美半导体领域的风云博弈。本书从晶体管发明、集成电路普及讲起,见证了日本半导体如何凭借DRAM内存称霸、CMOS内存挑战英特尔,实现崛起,并讲述了闪存的演变历史;也如实记录了日美半导体战争爆发、协议签订,致使日本半 ... |
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半导体材料(第四版)
作者:张源涛,杨树人,徐颖 出版:科学出版社 日期:2023-03-01 本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺,以及特性的控制等。全书共13章:第1章为硅和锗的化学制备;第2章为区熔提纯;第3章为晶体生长;第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷;第5章为硅外延生长;第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体;第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长;第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体;第9章为Ⅱ ... |
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半导体物理学(第8版)
作者:刘恩科 等 出版:电子工业出版社 日期:2023-05-01 本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章,主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;pn结;金属和半导体的接触;半导体表面及MIS结构;半导体异质结构;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。本书提供配套 ... |
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二维半导体物理
作者:夏建白等 出版:科学出版社 日期:2022-09-01 《二维半导体物理》主要介绍二维半导体物理的国际研究近况和《二维半导体物理》作者最近的研究 成果,着重在物理方面,内容包括二维半导体的结构、电子态、第一性原 理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性 二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质 和理论,读者可以比较三维和二维的 ... |
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半导体器件原理
作者:黄均鼐 出版:复旦大学出版社 日期:2024-01-01 本书主要阐述半导体器件的基本原理,这些器件包括:二极管、双极型晶体管、金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)以及其它类型的场效应晶体管器件。 ... |
詳情>> | 售價:NT$ 403 ![]() |
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微纳制造与半导体器件 周圣军
作者:周圣军 出版:机械工业出版社 日期:2024-08-01 本书基于编者在微纳制造领域的实践经验与研究成果,并结合近年来国际上的最新进展,综合介绍了微纳制造技术与半导体器件工艺。全书分为3 篇,共12章,包括半导体基本原理(半导体材料、能带和PN 结)、微纳制造工艺(掺杂、外延生长技术、光刻工艺、纳米压印光刻技术、刻蚀、沉积技术)、半导体器件(器件测试分析与表征技术、Ⅲ族氮化物 ... |
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图解入门——半导体工程学精讲
作者:[日]原明人 出版:机械工业出版社 日期:2024-12-01 本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应,逐步揭示量子世界的奥秘。接着,通过能带理论和半导体能带结构的解析,阐明了半导体材料的电子行为。此外,还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后,探讨了MOS结构、场效应 ... |
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电子相变半导体材料手册
作者:陈吉堃 出版:科学出版社 日期:2025-01-01 《电子相变半导体材料手册》系统总结具有电子相变特性的过渡族化合物半导体材料体系,详细介绍其晶体结构、电输运与磁性、电子相转变原理、材料合成与潜在应用等。《电子相变半导体材料手册》共12章,其中第1章总述现有电子相变材料体系以及常见电子相变原理。由于具有相同的价电子数的过渡族元素的化合物中的轨道构型具有一定相近性,第2~ ... |
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光电信息功能材料与半导体器件
作者:钱国栋 郁建灿 周述 赵典 出版:机械工业出版社 日期:2025-07-01 本书系统地介绍了光电信息功能材料与半导体器件的基本概念和工作原理,分为基础理论、光电材料、制备工艺和半导体器件四篇。基础理论篇详细阐述了光电子学的基本原理,突出了器件性能与器件结构、材料物理性能间的联系;光电材料篇介绍了各类光电材料的组成、特性及应用;制备工艺篇展示了多种光电材料及器件的制备工艺;半导体器件篇分析讨论了 ... |
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半导体物理与器件
作者:吕淑媛 出版:西安电子科技大学出版社 日期:2023-05-01 本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。第一部分为半导体基本属性,包括第1章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器 ... |
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先进半导体集成设计研究
作者:刘溪、吴美乐、靳晓诗 出版:清华大学出版社 日期:2025-03-01 《先进半导体集成设计研究》是作者针对半导体芯片集成单元设计领域所撰写的学术专著,是对作者在该领域科研学术成果的系统性论述。具体内容包括对当前主流以FinFET技术进行改良的先进金属氧化物半导体场效应晶体管集成技术、在开关特性上有质的飞跃的隧道场效应晶体管、利用高肖特基势垒实现的隧道场效应晶体管、可利用单个晶体管实现同或 ... |
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现代半导体存储器系统及其应用
作者:吕辉等 出版:科学出版社 日期:2025-06-01 《现代半导体存储器系统及其应用》是基于湖北工业大学芯片产业学院“信息存储技术”课程多年的教学实践精华与讲义智慧精心编撰而成,深刻贯彻产教融合的教育理念,旨在平衡理论深度与实践应用的双重需求。《现代半导体存储器系统及其应用》深度剖析主流半导体存储器(SRAM、DRAM、ROM、Flash)及四种新型存储器(RRAM、 ... |
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氮化镓半导体材料及器件
作者:张进成 出版:西安电子科技大学出版社 日期:2024-10-01 以GaN为衬底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物(包括AlN、GaN、InN及相关合金)是极为重要的宽禁带半导体材料,这类氮化物材料和器件的发展十分迅速。本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料及器件进行介绍,并系统地讲解了目前广泛应用的氮化物光电器件与氮化物电力电子器件,使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区 ... |
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半导体物理学习题集及详解(第2版)
作者:商世广 出版:电子工业出版社 日期:2025-04-01 本书结合“半导体物理学”本科教学和复习考研的实际需求,收集、整理、融合大量往届考研真题、期末试题,给出了详细的参考答案。本书共12章,涵盖名词解释、填空题、选择题、简答题、计算题和证明题六种题型,涉及面广、内容丰富、代表性强,为掌握半导体物理学的基本理论知识奠定坚实的基础。本书可作为高等院校电子科学与技术、微电子科学与 ... |
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半导体器件物理
作者:徐静平,刘璐,高俊雄 出版:华中科技大学出版社 日期:2023-09-01 本书主要描述常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性。内容包括:半导体物理基础、PN结、PN结二极管应用、双极型晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及新型场效应晶体管,如FinFET、SOI FET、纳米线围栅(GAA)FET等,共计七章。与同类教材比较,本教材增加了pn结二极管应用以及新型场效应晶体管的介绍, ... |
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半导体集成电路(第二版)
作者:余宁梅,杨媛,郭仲杰 出版:科学出版社 日期:2023-11-01 本书在简述半导体集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后,以“器件工艺电路应用”为主线,首先介绍半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理,然后重点讨论数字集成电路中组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件,最后介绍模拟集成电路中的关键电路和数模、模数转换电路。《BR》本书以问题为导向,在每一章 ... |
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功率半导体器件
作者:关艳霞 刘斌 吴美乐 卢雪梅 出版:机械工业出版社 日期:2023-06-01 本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程,主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管,在传统的功率二极管(肖特基二极管和PiN二极管)的基础上,增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件,主要分为传统开关 ... |
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半导体科普(共三册半导体简史+芯片制程+工作原理)
作者:西久保靖彦 王超 姜晶 牛夷 王刚 王齐 范淑琴 出版:机械工业出版社 日期:2024-04-01 这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章,包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、 产业形态;第2章的理解导体、绝缘体和半导体的区别,以及P型半导体和N型半导体的特性;第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、 CMOS等;第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想 ... |
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图解入门半导体系列(共两册:器件缺陷+功率半导体)
作者:山本秀和 上田修 佐藤淳一 出版:机械工业出版社 日期:2024-04-01 本书共分为4章,内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏,用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题,这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考 ... |
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中国科幻发展年鉴2024:一本全面展现2023年中国科幻发展状况的工具书 中国科普研究所科幻研究丛书
作者:中国科普研究所 著 出版:中国科学技术出版社 日期:2025-01-01 本书以宏观视野全景式回顾了2023年中国科幻的发展态势,深度剖析新亮点与趋势。全书涵盖综述、专论与资料三大板块,广泛触及科幻创作、产业、研究、译介、教育、活动及艺术等多个维度。专论部分聚焦热点,如《三体》电视剧的视觉特效盛宴、《云深》舞台剧的创作轨迹,以及中国科幻小说的“或然历史”构想等。资料篇系统整理了科幻图书、影视 ... |
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